SIB452DK-T1-GE3

Name: SIB452DK-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix

아날로그 및 전원

MOSFET N-CH 190V 1.5A PPAK SC75

생산 중PowerPAK® SC-75-6아날로그 및 전원

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.4Ohm @ 500mA, 4.5V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	6.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	135 pF @ 50 V
제조사	Vishay Siliconix
실장 방식	Surface Mount
Product Status	Active
시리즈	TrenchFET®
기술	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±16V
Vgs(th) (Max) @ Id	1.5V @ 250µA

드레인-소스 전압	190 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	1.5A (Tc)
최대 전력 손실	2.4W (Ta), 13W (Tc)

동작 온도	-55°C~150°C(TJ)