SIAA00DJ-T1-GE3

Name: SIAA00DJ-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix

아날로그 및 전원

MOSFET N-CH 25V 20.1A/40A PPAK

생산 중PowerPAK® SC-70-6아날로그 및 전원

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

Rds On (Max) @ Id, Vgs	5.6mOhm @ 15A, 10V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1090 pF @ 12.5 V
제조사	Vishay Siliconix
실장 방식	Surface Mount
포장	Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
제품 상태	생산 중
시리즈	TrenchFET® Gen IV
기술	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	+16V, -12V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA

드레인-소스 전압	25 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	20.1A (Ta), 40A (Tc)
최대 전력 손실	3.5W (Ta), 19.2W (Tc)

Package / Case	PowerPAK® SC-70-6
공급사 디바이스 패키지	PowerPAK® SC-70-6

동작 온도	-55°C ~ 150°C (TJ)