일반
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 64mOhm @ 3A, 10V |
|---|---|
| 기본 품번 | SIA929 |
| 구성 | 2 P-Channel (Dual) |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 21nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 575pF @ 15V |
| 제조사 | Vishay Siliconix |
| 실장 방식 | Surface Mount |
| 포장 | Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) |
| 제품 상태 | 생산 중 |
| 시리즈 | TrenchFET® |
| 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.1V @ 250µA |