SIA811DJ-T1-E3

Vishay Siliconix

SIA811DJ-T1-E3

데이터시트

아날로그 및 전원

MOSFET P-CH 20V 4.5A PPAK SC70-6

구형PowerPAK® SC-70-6 Dual아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

Rds On (Max) @ Id, Vgs94mOhm @ 2.8A, 4.5V
FET FeatureSchottky Diode (Isolated)
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs13 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds355 pF @ 10 V
제조사Vishay Siliconix
실장 방식Surface Mount
Product StatusObsolete
시리즈LITTLE FOOT®
기술MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±8V
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA

전기적 특성

드레인-소스 전압20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.8V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C4.5A (Tc)
최대 전력 손실1.9W (Ta), 6.5W (Tc)

기계적 특성

패키지Tape & Reel (TR)
Package / CasePowerPAK® SC-70-6 Dual
공급사 디바이스 패키지PowerPAK® SC-70-6 Dual

환경 조건

동작 온도-55°C~150°C(TJ)