일반
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 60mOhm @ 4.2A, 4.5V |
|---|---|
| 기본 품번 | SIA425 |
| FET Type | P-Channel |
| 제조사 | Vishay Siliconix |
| 실장 방식 | Surface Mount |
| Product Status | Obsolete |
| 시리즈 | TrenchFET® |
| 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
제품 속성
가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.
전기적 특성
| 드레인-소스 전압 | 20 V |
|---|---|
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.5A (Tc) |
| 최대 전력 손실 | 2.9W (Ta), 15.6W (Tc) |
기계적 특성
| 패키지 | Tape & Reel (TR) |
|---|---|
| Package / Case | PowerPAK® SC-70-6 |
| 공급사 디바이스 패키지 | PowerPAK® SC-70-6 |
환경 조건
| 동작 온도 | -55°C~150°C(TJ) |
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