일반
| 기본 품번 | SI8900 |
|---|---|
| 구성 | 2 N-Channel (Dual) Common Drain |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| 제조사 | Vishay Siliconix |
| 실장 방식 | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| 시리즈 | TrenchFET® |
| 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 1.1mA |
제품 속성
가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.
전기적 특성
| 드레인-소스 전압 | 20V |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.4A |
| Power - Max | 1W |
기계적 특성
| 패키지 | Tape & Reel (TR) |
|---|---|
| Package / Case | 10-UFBGA, CSPBGA |
| 공급사 디바이스 패키지 | 10-Micro Foot™ CSP (2x5) |
환경 조건
| 동작 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
|---|