SI8819EDB-T2-E1

Name: SI8819EDB-T2-E1
Brand: Vishay Siliconix

아날로그 및 전원

MOSFET P-CH 12V 2.9A 4MICRO FOOT

생산 중4-XFBGA아날로그 및 전원

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

Rds On (Max) @ Id, Vgs	80mOhm @ 1.5A, 3.7V
FET Type	P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	17 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	650 pF @ 6 V
제조사	Vishay Siliconix
실장 방식	Surface Mount
Product Status	Active
기술	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±8V
Vgs(th) (Max) @ Id	900mV @ 250µA

드레인-소스 전압	12 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.5V, 3.7V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	2.9A (Ta)
최대 전력 손실	900mW (Ta)

동작 온도	-55°C~150°C(TJ)