SI8802DB-T2-E1

Vishay Siliconix

SI8802DB-T2-E1

데이터시트

아날로그 및 전원

MOSFET N-CH 8V 4MICROFOOT

생산 중4-XFBGA아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

Rds On (Max) @ Id, Vgs54mOhm @ 1A, 4.5V
기본 품번SI8802
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs6.5 nC @ 4.5 V
제조사Vishay Siliconix
실장 방식Surface Mount
Product StatusActive
시리즈TrenchFET®
기술MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±5V
Vgs(th) (Max) @ Id700mV @ 250µA

전기적 특성

드레인-소스 전압8 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.2V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3A (Ta)
최대 전력 손실500mW (Ta)

기계적 특성

패키지Tape & Reel (TR)
Package / Case4-XFBGA
공급사 디바이스 패키지4-Microfoot

환경 조건

동작 온도-55°C~150°C(TJ)