SI8441DB-T2-E1

Name: SI8441DB-T2-E1
Brand: Vishay Siliconix

아날로그 및 전원

MOSFET P-CH 20V 10.5A 6MICROFOOT

생산 중6-UFBGA아날로그 및 전원

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

Rds On (Max) @ Id, Vgs	80mOhm @ 1A, 4.5V
FET Type	P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	13 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	600 pF @ 10 V
제조사	Vishay Siliconix
실장 방식	Surface Mount
Product Status	Active
시리즈	TrenchFET®
기술	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±5V
Vgs(th) (Max) @ Id	700mV @ 250µA

드레인-소스 전압	20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.2V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	10.5A (Tc)
최대 전력 손실	2.77W (Ta), 13W (Tc)

동작 온도	-55°C~150°C(TJ)