가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 46mOhm @ 1A, 4.5V |
|---|---|
| 기본 품번 | SI8409 |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 26 nC @ 4.5 V |
| 제조사 | Vishay Siliconix |
| 실장 방식 | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| 시리즈 | TrenchFET® |
| 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.4V @ 250µA |
| 드레인-소스 전압 | 30 V |
|---|---|
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.6A (Ta) |
| 최대 전력 손실 | 1.47W (Ta) |
| 패키지 | Tape & Reel (TR) |
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| Package / Case | 4-XFBGA, CSPBGA |
| 공급사 디바이스 패키지 | 4-Microfoot |
| 동작 온도 | -55°C~150°C(TJ) |
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