SI7972DP-T1-GE3

Name: SI7972DP-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix

아날로그 및 전원

MOSFET 2N-CH 60V 8A PPAK SO8

생산 중PowerPAK® SO-8 Dual아날로그 및 전원

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

Rds On (Max) @ Id, Vgs	18mOhm @ 11A, 10V
기본 품번	SI7972
구성	2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	11nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1050pF @ 30V
제조사	Vishay Siliconix
실장 방식	Surface Mount
Product Status	Active
시리즈	TrenchFET®
기술	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id	2.7V @ 250µA

드레인-소스 전압	60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	8A (Tc)
Power - Max	22W

동작 온도	-55°C ~ 150°C (TJ)