SI7844DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI7844DP-T1-GE3

데이터시트

아날로그 및 전원

MOSFET 2N-CH 30V 6.4A PPAK SO-8

구형PowerPAK® SO-8 Dual아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

Rds On (Max) @ Id, Vgs22mOhm @ 10A, 10V
기본 품번SI7844
구성2 N-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs20nC @ 10V
제조사Vishay Siliconix
실장 방식Surface Mount
Product StatusObsolete
기술MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2.4V @ 250µA

전기적 특성

드레인-소스 전압30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C6.4A
Power - Max1.4W

기계적 특성

패키지Cut Tape (CT)
Package / CasePowerPAK® SO-8 Dual
공급사 디바이스 패키지PowerPAK® SO-8 Dual