SI5902BDC-T1-E3

Vishay Siliconix

SI5902BDC-T1-E3

데이터시트

아날로그 및 전원

MOSFET 2N-CH 30V 4A 1206-8

단종8-SMD, Flat Leads아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

Rds On (Max) @ Id, Vgs65mOhm @ 3.1A, 10V
기본 품번SI5902
구성2 N-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs7nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds220pF @ 15V
제조사Vishay Siliconix
실장 방식Surface Mount
포장Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
제품 상태Last Time Buy
시리즈TrenchFET®
기술MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA

전기적 특성

드레인-소스 전압30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C4A (Tc)
Power - Max3.12W

기계적 특성

Package / Case8-SMD, Flat Leads
공급사 디바이스 패키지1206-8 ChipFET™

환경 조건

동작 온도-55°C ~ 150°C (TJ)