SI5513CDC-T1-E3

Vishay Siliconix

SI5513CDC-T1-E3

데이터시트

아날로그 및 전원

MOSFET N/P-CH 20V 4A/3.7A 1206-8

생산 중8-SMD, Flat Leads아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

Rds On (Max) @ Id, Vgs55mOhm @ 4.3A, 4.5V
기본 품번SI5513
구성N and P-Channel
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs4.2nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds285pF @ 10V
제조사Vishay Siliconix
실장 방식Surface Mount
포장Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
제품 상태생산 중
시리즈TrenchFET®
기술MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA

전기적 특성

드레인-소스 전압20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C4A, 3.7A
Power - Max3.1W

기계적 특성

Package / Case8-SMD, Flat Leads
공급사 디바이스 패키지1206-8 ChipFET™

환경 조건

동작 온도-55°C ~ 150°C (TJ)