SI5402DC-T1-E3

Vishay Siliconix

SI5402DC-T1-E3

데이터시트

아날로그 및 전원

MOSFET N-CH 30V 4.9A 1206-8

구형8-SMD, Flat Lead아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

Rds On (Max) @ Id, Vgs35mOhm @ 4.9A, 10V
기본 품번SI5402
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs20 nC @ 10 V
제조사Vishay Siliconix
실장 방식Surface Mount
Product StatusObsolete
시리즈TrenchFET®
기술MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA (Min)

전기적 특성

드레인-소스 전압30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C4.9A (Ta)
최대 전력 손실1.3W (Ta)

기계적 특성

패키지Tape & Reel (TR)
Package / Case8-SMD, Flat Lead
공급사 디바이스 패키지1206-8 ChipFET™

환경 조건

동작 온도-55°C~150°C(TJ)