가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9mOhm @ 14A, 4.5V |
|---|---|
| 기본 품번 | SI4465 |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 85 nC @ 4.5 V |
| 제조사 | Vishay Siliconix |
| 실장 방식 | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| 시리즈 | TrenchFET® |
| 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| 드레인-소스 전압 | 8 V |
|---|---|
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 13.7A (Ta), 20A (Tc) |
| 최대 전력 손실 | 3W (Ta), 6.5W (Tc) |
| 패키지 | Tape & Reel (TR) |
|---|---|
| Package / Case | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| 공급사 디바이스 패키지 | 8-SOIC |
| 동작 온도 | -55°C~150°C(TJ) |
|---|