SI4100DY-T1-E3

Vishay Siliconix

SI4100DY-T1-E3

데이터시트

아날로그 및 전원

MOSFET N-CH 100V 6.8A 8SO

생산 중8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

Rds On (Max) @ Id, Vgs63mOhm @ 4.4A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds600 pF @ 50 V
제조사Vishay Siliconix
실장 방식Surface Mount
포장Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
제품 상태생산 중
시리즈TrenchFET®
기술MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4.5V @ 250µA

전기적 특성

드레인-소스 전압100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)6V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C6.8A (Tc)
최대 전력 손실2.5W (Ta), 6W (Tc)

기계적 특성

Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급사 디바이스 패키지8-SOIC

환경 조건

동작 온도-55°C ~ 150°C (TJ)