SI4056ADY-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI4056ADY-T1-GE3

데이터시트

아날로그 및 전원

MOSFET N-CH 100V 5.9A/8.3A 8SOIC

생산 중8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

Rds On (Max) @ Id, Vgs29.2mOhm @ 5.9A, 10V
기본 품번SI4056
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1330 pF @ 50 V
제조사Vishay Siliconix
실장 방식Surface Mount
Product StatusActive
시리즈TrenchFET®
기술MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA

전기적 특성

드레인-소스 전압100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C5.9A (Ta), 8.3A (Tc)
최대 전력 손실2.5W (Ta), 5W (Tc)

기계적 특성

패키지Tape & Reel (TR)
Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급사 디바이스 패키지8-SOIC

환경 조건

동작 온도-55°C~150°C(TJ)