SI3475DV-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI3475DV-T1-GE3

데이터시트

아날로그 및 전원

MOSFET P-CH 200V 0.95A 6-TSOP

구형SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

Rds On (Max) @ Id, Vgs1.61Ohm @ 900mA, 10V
기본 품번SI3475
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds500 pF @ 50 V
제조사Vishay Siliconix
실장 방식Surface Mount
Product StatusObsolete
기술MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

전기적 특성

드레인-소스 전압200 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C950mA (Tc)

기계적 특성

패키지Cut Tape (CT)
Package / CaseSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
공급사 디바이스 패키지6-TSOP