SI3443BDV-T1-E3

Vishay Siliconix

SI3443BDV-T1-E3

데이터시트

아날로그 및 전원

MOSFET P-CH 20V 3.6A 6TSOP

생산 중SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

Rds On (Max) @ Id, Vgs60mOhm @ 4.7A, 4.5V
기본 품번SI3443
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs9 nC @ 4.5 V
제조사Vishay Siliconix
실장 방식Surface Mount
Product StatusActive
시리즈TrenchFET®
기술MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±12V
Vgs(th) (Max) @ Id1.4V @ 250µA

전기적 특성

드레인-소스 전압20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3.6A (Ta)
최대 전력 손실1.1W (Ta)

기계적 특성

패키지Tape & Reel (TR)
Package / CaseSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
공급사 디바이스 패키지6-TSOP

환경 조건

동작 온도-55°C~150°C(TJ)