SI2333DS-T1-BE3

Vishay Siliconix

SI2333DS-T1-BE3

데이터시트

아날로그 및 전원

P-CHANNEL 12-V (D-S) MOSFET

생산 중TO-236-3, SC-59, SOT-23-3아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

Rds On (Max) @ Id, Vgs32mOhm @ 5.3A, 4.5V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs18 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1100 pF @ 6 V
제조사Vishay Siliconix
실장 방식Surface Mount
Product StatusActive
기술MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±8V
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA

전기적 특성

드레인-소스 전압12 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.8V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C4.1A (Ta)
최대 전력 손실750mW (Ta)

기계적 특성

패키지Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급사 디바이스 패키지SOT-23-3 (TO-236)

환경 조건

동작 온도-55°C ~ 150°C (TJ)