SI1480DH-T1-BE3

Vishay Siliconix

SI1480DH-T1-BE3

데이터시트

아날로그 및 전원

MOSFET N-CH 100V 2.1A/2.6A SC70

생산 중6-TSSOP, SC-88, SOT-363아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

Rds On (Max) @ Id, Vgs200mOhm @ 1.9A, 10V
기본 품번SI1480
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds130 pF @ 50 V
제조사Vishay Siliconix
실장 방식Surface Mount
포장Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
제품 상태생산 중
시리즈TrenchFET®
기술MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA

전기적 특성

드레인-소스 전압100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2.1A (Ta), 2.6A (Tc)
최대 전력 손실1.5W (Ta), 2.8W (Tc)

기계적 특성

Package / Case6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급사 디바이스 패키지SC-70-6

환경 조건

동작 온도-55°C ~ 150°C (TJ)