SI1050X-T1-E3

Name: SI1050X-T1-E3
Brand: Vishay Siliconix

아날로그 및 전원

MOSFET N-CH 8V 1.34A SC89-6

구형SOT-563, SOT-666아날로그 및 전원

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

Rds On (Max) @ Id, Vgs	86mOhm @ 1.34A, 4.5V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	11.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	585 pF @ 4 V
제조사	Vishay Siliconix
실장 방식	Surface Mount
Product Status	Obsolete
시리즈	TrenchFET®
기술	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±5V
Vgs(th) (Max) @ Id	900mV @ 250µA

드레인-소스 전압	8 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	1.34A (Ta)
최대 전력 손실	236mW (Ta)

동작 온도	-55°C~150°C(TJ)