SI1025X-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI1025X-T1-GE3

데이터시트

아날로그 및 전원

MOSFET 2P-CH 60V 0.19A SC89

생산 중SOT-563, SOT-666아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

Rds On (Max) @ Id, Vgs4Ohm @ 500mA, 10V
기본 품번SI1025
구성2 P-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs1.7nC @ 15V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds23pF @ 25V
제조사Vishay Siliconix
실장 방식Surface Mount
포장Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
제품 상태생산 중
시리즈TrenchFET®
기술MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA

전기적 특성

드레인-소스 전압60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C190mA
Power - Max250mW

기계적 특성

Package / CaseSOT-563, SOT-666
공급사 디바이스 패키지SC-89 (SOT-563F)

환경 조건

동작 온도-55°C ~ 150°C (TJ)