SI1012R-T1-E3

Vishay Siliconix

SI1012R-T1-E3

데이터시트

아날로그 및 전원

MOSFET N-CH 20V 500MA SC75A

구형SC-75, SOT-416아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

Rds On (Max) @ Id, Vgs700mOhm @ 600mA, 4.5V
기본 품번SI1012
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs0.75 nC @ 4.5 V
제조사Vishay Siliconix
실장 방식Surface Mount
Product StatusObsolete
시리즈TrenchFET®
기술MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±6V
Vgs(th) (Max) @ Id900mV @ 250µA

전기적 특성

드레인-소스 전압20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.8V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C500mA (Ta)
최대 전력 손실150mW (Ta)

기계적 특성

패키지Tape & Reel (TR)
Package / CaseSC-75, SOT-416
공급사 디바이스 패키지SC-75A

환경 조건

동작 온도-55°C~150°C(TJ)