일반
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 190mOhm @ 18A, 10V |
|---|---|
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 220 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5870 pF @ 25 V |
| 제조사 | Vishay Siliconix |
| 실장 방식 | Through Hole |
| 포장 | Tube |
| 제품 상태 | 구형 |
| 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |