IRFD310

Vishay Siliconix

IRFD310

데이터시트

아날로그 및 전원

MOSFET N-CH 400V 350MA 4DIP

구형4-DIP (0.300", 7.62mm)아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

Rds On (Max) @ Id, Vgs3.6Ohm @ 210mA, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds170 pF @ 25 V
제조사Vishay Siliconix
실장 방식Through Hole
Product StatusObsolete
기술MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

전기적 특성

드레인-소스 전압400 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C350mA (Ta)
최대 전력 손실1W (Ta)

기계적 특성

패키지Tube
Package / Case4-DIP (0.300", 7.62mm)
공급사 디바이스 패키지4-HVMDIP

환경 조건

동작 온도-55°C~150°C(TJ)