IRFBE30LPBF

Name: IRFBE30LPBF
Brand: Vishay Siliconix

아날로그 및 전원

MOSFET N-CH 800V 4.1A I2PAK

생산 중TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA아날로그 및 전원

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

Rds On (Max) @ Id, Vgs	3Ohm @ 2.5A, 10V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1300 pF @ 25 V
제조사	Vishay Siliconix
실장 방식	Through Hole
Product Status	Active
기술	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±20V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA

드레인-소스 전압	800 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	4.1A (Tc)
최대 전력 손실	125W (Tc)

동작 온도	-55°C~150°C(TJ)