3N163-E3

Vishay Siliconix

3N163-E3

아날로그 및 전원

MOSFET P-CH 40V 50MA TO72

구형TO-206AF, TO-72-4 Metal Can아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

Rds On (Max) @ Id, Vgs250Ohm @ 100µA, 20V
기본 품번3N163
FET TypeP-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds3.5 pF @ 15 V
제조사Vishay Siliconix
실장 방식Through Hole
Product StatusObsolete
기술MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 10µA

전기적 특성

드레인-소스 전압40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C50mA (Ta)
최대 전력 손실375mW (Ta)

기계적 특성

패키지Bulk
Package / CaseTO-206AF, TO-72-4 Metal Can
공급사 디바이스 패키지TO-72

환경 조건

동작 온도-55°C~150°C(TJ)