일반
| 기본 품번 | S8D3 |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 340pF @ 4V, 1MHz |
| 제조사 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
| 실장 방식 | Surface Mount |
| 포장 | Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) |
| 제품 상태 | 생산 중 |
| 시리즈 | eSMP®, TMBS® |
| 기술 | Schottky |
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
VSS8D3M10-M3/I
데이터시트아날로그 및 전원
DIODE SCHOTT 100V 2.1A SLIMSMAW
제품 속성
가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.
전기적 특성
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 100 V |
|---|---|
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 550 mV @ 1.5 A |
| Current - Average Rectified (Io) | 2.1A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 200 µA @ 100 V |
| 속도 | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
기계적 특성
| Package / Case | DO-221AC, SMA Flat Leads |
|---|---|
| 공급사 디바이스 패키지 | SlimSMAW (DO-221AD) |
환경 조건
| Operating Temperature - Junction | -40°C ~ 175°C |
|---|