VS-E5TH3012S2L-M3

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

VS-E5TH3012S2L-M3

데이터시트

아날로그 및 전원

DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO263AB

생산 중아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

제조사Vishay General Semiconductor - Diodes Division
실장 방식Surface Mount
Product StatusActive
Reverse Recovery Time (trr)113 ns
시리즈FRED Pt® G5
기술Standard

전기적 특성

Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If2.5 V @ 30 A
Current - Average Rectified (Io)30A
Current - Reverse Leakage @ Vr50 µA @ 1200 V
속도Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

기계적 특성

패키지Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
공급사 디바이스 패키지TO-263AB (D2PAK)

환경 조건

Operating Temperature - Junction-55°C ~ 175°C