일반
| 기본 품번 | V20120 |
|---|---|
| 제조사 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
| 실장 방식 | Through Hole |
| 포장 | Tube |
| 제품 상태 | 생산 중 |
| 시리즈 | TMBS® |
| 기술 | Schottky |
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
V20120S-E3/4W
데이터시트아날로그 및 전원
DIODE SCHOTTKY 120V 20A TO220-3
제품 속성
가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.
전기적 특성
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 120 V |
|---|---|
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.12 V @ 20 A |
| Current - Average Rectified (Io) | 20A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 300 µA @ 120 V |
| 속도 | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
기계적 특성
| Package / Case | TO-220-3 |
|---|---|
| 공급사 디바이스 패키지 | TO-220-3 |
환경 조건
| Operating Temperature - Junction | -40°C ~ 150°C |
|---|