일반
| 기본 품번 | SE30DT12 |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 132pF @ 4V, 1MHz |
| 제조사 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
| 실장 방식 | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 3.4 µs |
| 시리즈 | eSMP® |
| 기술 | Standard |
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
SE30DT12HM3/I
데이터시트아날로그 및 전원
DIODE GEN PURP 1.2KV 30A SMPD
제품 속성
가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.
전기적 특성
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200 V |
|---|---|
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.29 V @ 30 A |
| Current - Average Rectified (Io) | 30A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 10 µA @ 1200 V |
| 속도 | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
기계적 특성
| 패키지 | Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) |
|---|---|
| 공급사 디바이스 패키지 | SMPD |
환경 조건
| Grade | Automotive |
|---|---|
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
| Qualification | AEC-Q101 |