S8M-E3/I

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

S8M-E3/I

데이터시트

아날로그 및 전원

8A, 1000V, STD RECT , SMC

생산 중DO-214AB, SMC아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

기본 품번S8M
Capacitance @ Vr, F72pF @ 4V, 1MHz
제조사Vishay General Semiconductor - Diodes Division
실장 방식Surface Mount
포장Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
제품 상태생산 중
Reverse Recovery Time (trr)3.6 µs
기술Standard

전기적 특성

Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If975 mV @ 8 A
Current - Average Rectified (Io)8A
Current - Reverse Leakage @ Vr10 µA @ 1000 V
속도Standard Recovery > 500ns, > 1A (Io)

기계적 특성

Package / CaseDO-214AB, SMC
공급사 디바이스 패키지DO-214AB (SMC)

환경 조건

Operating Temperature - Junction-55°C ~ 150°C