일반
| 기본 품번 | NSB8 |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 55pF @ 4V, 1MHz |
| 제조사 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
| 실장 방식 | Surface Mount |
| 포장 | Tube |
| 제품 상태 | 구형 |
| 기술 | Standard |
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
NSB8BT-E3/45
데이터시트아날로그 및 전원
DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB
제품 속성
가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.
전기적 특성
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 100 V |
|---|---|
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1 V @ 8 A |
| Current - Average Rectified (Io) | 8A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 10 µA @ 100 V |
| 속도 | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
기계적 특성
| Package / Case | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB |
|---|---|
| 공급사 디바이스 패키지 | TO-263AB (D2PAK) |
환경 조건
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
|---|