UJ3C120040K3S

UnitedSiC

UJ3C120040K3S

데이터시트

아날로그 및 전원

SICFET N-CH 1200V 65A TO247-3

생산 중TO-247-3아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

Rds On (Max) @ Id, Vgs45mOhm @ 40A, 12V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1500 pF @ 100 V
제조사UnitedSiC
실장 방식Through Hole
Product StatusActive
기술SiCFET (Cascode SiCJFET)
Vgs (Max)±25V
Vgs(th) (Max) @ Id6V @ 10mA

전기적 특성

드레인-소스 전압1200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C65A (Tc)
최대 전력 손실429W (Tc)

기계적 특성

패키지Tube
Package / CaseTO-247-3
공급사 디바이스 패키지TO-247-3

환경 조건

동작 온도-55°C~175°C(TJ)