UF3SC065030D8S

Name: UF3SC065030D8S
Brand: UnitedSiC

아날로그 및 전원

SICFET N-CH 650V 18A 4DFN

구형4-PowerTSFN아날로그 및 전원

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

Rds On (Max) @ Id, Vgs	42mOhm @ 20A, 12V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	43 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1500 pF @ 100 V
제조사	UnitedSiC
실장 방식	Surface Mount
Product Status	Obsolete
기술	SiCFET (Cascode SiCJFET)
Vgs (Max)	±25V
Vgs(th) (Max) @ Id	6V @ 10mA

드레인-소스 전압	650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	18A (Tc)
최대 전력 손실	179W (Tc)

동작 온도	-55°C~150°C(TJ)