UF3C120080B7S

Name: UF3C120080B7S
Brand: UnitedSiC

아날로그 및 전원

SICFET P-CH 1200V 28.8A D2PAK-7

생산 중TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA아날로그 및 전원

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

Rds On (Max) @ Id, Vgs	105mOhm @ 20A, 12V
기본 품번	UF3C120080
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	23 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	754 pF @ 100 V
제조사	UnitedSiC
실장 방식	Surface Mount
Product Status	Active
기술	SiCFET (Cascode SiCJFET)
Vgs (Max)	±25V
Vgs(th) (Max) @ Id	6V @ 10mA

드레인-소스 전압	1200 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	28.8A (Tc)
최대 전력 손실	190W (Tc)

동작 온도	-55°C~175°C(TJ)