TPH3202LD

Transphorm

TPH3202LD

데이터시트

아날로그 및 전원

GANFET N-CH 600V 9A 4PQFN

구형4-PowerDFN아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

Rds On (Max) @ Id, Vgs350mOhm @ 5.5A, 8V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs9.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds760 pF @ 480 V
제조사Transphorm
실장 방식Surface Mount
Product StatusObsolete
기술GaNFET (Gallium Nitride)
Vgs (Max)±18V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA

전기적 특성

드레인-소스 전압600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C9A (Tc)
최대 전력 손실65W (Tc)

기계적 특성

패키지Tube
Package / Case4-PowerDFN
공급사 디바이스 패키지4-PQFN (8x8)

환경 조건

동작 온도-55°C~175°C(TJ)