TP65H480G4JSG-TR

Name: TP65H480G4JSG-TR
Brand: Transphorm

아날로그 및 전원

GANFET N-CH 650V 3.6A 3PQFN

생산 중3-SMD, Flat Lead아날로그 및 전원

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

Rds On (Max) @ Id, Vgs	560mOhm @ 3.4A, 8V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	9 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	760 pF @ 400 V
제조사	Transphorm
실장 방식	Surface Mount
Product Status	Active
기술	GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
Vgs (Max)	±18V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.8V @ 500µA

드레인-소스 전압	650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	3.6A (Tc)
최대 전력 손실	13.2W (Tc)

동작 온도	-55°C~150°C(TJ)