TP65H300G4LSG-TR

Name: TP65H300G4LSG-TR
Brand: Transphorm

아날로그 및 전원

GANFET N-CH 650V 6.5A 3PQFN

생산 중3-PowerDFN아날로그 및 전원

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

Rds On (Max) @ Id, Vgs	312mOhm @ 5A, 8V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	9.6 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	760 pF @ 400 V
제조사	Transphorm
실장 방식	Surface Mount
Product Status	Active
기술	GaNFET (Gallium Nitride)
Vgs (Max)	±18V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.6V @ 500µA

드레인-소스 전압	650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	6.5A (Tc)
최대 전력 손실	21W (Tc)

동작 온도	-55°C ~ 150°C (TJ)