TP65H070LSG

Transphorm

TP65H070LSG

데이터시트

아날로그 및 전원

GANFET N-CH 650V 25A 3PQFN

단종3-PowerDFN아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

Rds On (Max) @ Id, Vgs85mOhm @ 16A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds600 pF @ 400 V
제조사Transphorm
실장 방식Surface Mount
포장Tube
제품 상태Discontinued at
시리즈TP65H070L
기술GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4.8V @ 700µA

전기적 특성

드레인-소스 전압650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C25A (Tc)
최대 전력 손실96W (Tc)

기계적 특성

Package / Case3-PowerDFN
공급사 디바이스 패키지3-PQFN (8x8)

환경 조건

동작 온도-55°C ~ 150°C (TJ)