TP65H050G4BS

Name: TP65H050G4BS
Brand: Transphorm

아날로그 및 전원

650 V 34 A GAN FET

생산 중TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB아날로그 및 전원

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

Rds On (Max) @ Id, Vgs	60mOhm @ 22A, 10V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1000 pF @ 400 V
제조사	Transphorm
실장 방식	Surface Mount
Product Status	Active
시리즈	SuperGaN®
기술	GaNFET (Gallium Nitride)
Vgs (Max)	±20V
Vgs(th) (Max) @ Id	4.8V @ 700µA

드레인-소스 전압	650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	34A (Tc)
최대 전력 손실	119W (Tc)

동작 온도	-55°C~150°C(TJ)