일반
| 기본 품번 | TRS10E65 |
|---|---|
| 제조사 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 실장 방식 | Through Hole |
| Product Status | Obsolete |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| 기술 | SiC (Silicon Carbide) Schottky |
제품 속성
가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.
전기적 특성
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650 V |
|---|---|
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7 V @ 10 A |
| Current - Average Rectified (Io) | 10A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 90 µA @ 650 V |
| 속도 | No Recovery Time > 500mA (Io) |
기계적 특성
| 패키지 | Tube |
|---|---|
| Package / Case | TO-220-2 |
| 공급사 디바이스 패키지 | TO-220-2L |
환경 조건
| Operating Temperature - Junction | 175°C (Max) |
|---|