TPW1R005PL,L1Q

Toshiba Semiconductor and Storage

TPW1R005PL,L1Q

데이터시트

아날로그 및 전원

MOSFET N-CH 45V 300A 8DSOP

생산 중8-PowerVDFN아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

기본 품번TPW1R005
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds9600 pF @ 22.5 V
제조사Toshiba Semiconductor and Storage
실장 방식Surface Mount
포장Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
제품 상태생산 중
시리즈U-MOSIX-H
기술MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.4V @ 1mA

전기적 특성

드레인-소스 전압45 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C300A (Tc)
최대 전력 손실960mW (Ta), 170W (Tc)

기계적 특성

Package / Case8-PowerVDFN
공급사 디바이스 패키지8-DSOP Advance

환경 조건

동작 온도175°C