TPH9R00CQH,LQ

Toshiba Semiconductor and Storage

TPH9R00CQH,LQ

데이터시트

아날로그 및 전원

UMOS10 SOP-ADV(N) 150V 9MOHM

생산 중8-PowerVDFN아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

Rds On (Max) @ Id, Vgs9mOhm @ 32A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds5400 pF @ 75 V
제조사Toshiba Semiconductor and Storage
실장 방식Surface Mount
Product StatusActive
기술MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4.3V @ 1mA

전기적 특성

드레인-소스 전압150 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)8V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C64A (Tc)
최대 전력 손실960mW (Ta), 210W (Tc)

기계적 특성

패키지Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-PowerVDFN
공급사 디바이스 패키지8-SOP Advance (5x5)

환경 조건

동작 온도175°C