TPH3R70APL,L1Q

Toshiba Semiconductor and Storage

TPH3R70APL,L1Q

데이터시트

아날로그 및 전원

MOSFET N-CH 100V 90A 8SOP

생산 중8-PowerVDFN아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

Rds On (Max) @ Id, Vgs3.7mOhm @ 45A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds6300 pF @ 50 V
제조사Toshiba Semiconductor and Storage
실장 방식Surface Mount
Product StatusActive
시리즈U-MOSIX-H
기술MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 1mA

전기적 특성

드레인-소스 전압100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C90A (Tc)
최대 전력 손실960mW (Ta), 170W (Tc)

기계적 특성

패키지Tape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerVDFN
공급사 디바이스 패키지8-SOP Advance (5x5)

환경 조건

동작 온도175°C