TPH1110FNH,L1Q

Name: TPH1110FNH,L1Q
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage

아날로그 및 전원

MOSFET N-CH 250V 10A 8SOP

생산 중8-PowerVDFN아날로그 및 전원

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

Rds On (Max) @ Id, Vgs	112mOhm @ 5A, 10V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1100 pF @ 100 V
제조사	Toshiba Semiconductor and Storage
실장 방식	Surface Mount
Product Status	Active
시리즈	U-MOSVIII-H
기술	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±20V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 300µA

드레인-소스 전압	250 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	10A (Ta)
최대 전력 손실	1.6W (Ta), 57W (Tc)

동작 온도	150°C (TJ)