TPCC8009,LQ(O

Toshiba Semiconductor and Storage

TPCC8009,LQ(O

아날로그 및 전원

MOSFET N-CH 30V 24A 8TSON

구형8-PowerVDFN아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

Rds On (Max) @ Id, Vgs7mOhm @ 12A, 10V
기본 품번TPCC8009
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1270 pF @ 10 V
제조사Toshiba Semiconductor and Storage
실장 방식Surface Mount
Product StatusObsolete
시리즈U-MOSIV
기술MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 200µA

전기적 특성

드레인-소스 전압30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C24A (Ta)

기계적 특성

패키지Tape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerVDFN
공급사 디바이스 패키지8-TSON Advance (3.1x3.1)

환경 조건

동작 온도150°C (TJ)