TPC8115(TE12L,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

TPC8115(TE12L,Q,M)

아날로그 및 전원

MOSFET P-CH 20V 10A 8SOP

구형8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

Rds On (Max) @ Id, Vgs10mOhm @ 5A, 4.5V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs115 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds9130 pF @ 10 V
제조사Toshiba Semiconductor and Storage
실장 방식Surface Mount
Product StatusObsolete
시리즈U-MOSIV
기술MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±8V
Vgs(th) (Max) @ Id1.2V @ 200µA

전기적 특성

드레인-소스 전압20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.8V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C10A (Ta)
최대 전력 손실1W (Ta)

기계적 특성

패키지Tape & Reel (TR)
Package / Case8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
공급사 디바이스 패키지8-SOP (5.5x6.0)

환경 조건

동작 온도150°C (TJ)